Неизвестный алмаз. «Артефакты» технологии

В нашем случае обрабатывающий инструмент имеет одну ось вращения ? (с циклической частотой ?) вокруг своего геометрического центра и одновременно совершает независимое эксцентричное перемещение как целое тело вокруг другой, но неподвижной оси ? (с циклической частотой ?). Общий кинематический принцип такого комбинированного двухосевого движения был реализован ранее в работе [9]. Расстояние между подвижной а и неподвижной ? осями вращения (r

) является аппаратурным фактором и выбирается в соответствии с используемым алгоритмом обработки.

Важно заметить, что параметр ?V (см. рис. 1.1) как приращение линейной скорости движения инструмента относительно обрабатываемой поверхности алмаза есть величина постоянная в любой точке контакта обрабатывающего инструмента с кристаллом и зависит только от r

. Следовательно, и тангенциальное ускорение всех зерен, участвующих в процессе генерации возмущающих волн в обрабатываемом алмазе, будет также инвариантно относительно координат контакта.

Рис. 1.1. Графическое отображение скоростей движения инструмента как функции времени t

В этом суть одного из многих алгоритмов воздействия. В этих алгоритмах также предусмотрена возможность задаваемых вращательного и возвратно-поступательного перемещений кристалла алмаза относительно инструмента.

Критерий пространственного постоянства ?V является определяющим фактором при создании когерентного волнового поля упругих деформаций в объеме алмаза.

Когерентность – согласованное протекание во времени и пространстве нескольких колебательных или волновых процессов. Волны называются когерентными, если разность их фаз остается постоянной во времени.

Частота ? вращения инструмента в разработанном оборудовании с ЧПУ может лежать в диапазоне 0?10 000 об./мин., частота ? – в пределах 0?120 Гц. Конкретные параметры и соотношения частот в случае независимого двухосевого механического движения инструмента определяются поставленной целью и задачей при применении этого нового метода обработки алмаза.

Обработка алмазной поверхности проводится усовершенствованным методом [9] в сочетании с принципом волнового возбуждения фононной подсистемы кристалла [10]. Этот принцип был развит и адаптирован непосредственно к процессу механической обработки алмаза. В результате суть способа обработки можно описать следующим образом.