Все науки. №8, 2022. Международный научный журнал

Особое внимание уделяется модификации свойств слоев под действием коротких лазерных импульсов, когда наряду с обыкновенным тепловым разогревом пленок, возможно влияние факторов, имеющих нетепловую природу.

Физические механизмы действия лазерного излучения на тонкие пленки во многом аналогичны действию излучения на массивные материалы, но обладают некоторыми особенностями.

В настоящей работе приведены результаты исследований влияния g-радиации и лазерного облучения на кинетических коэффициенты поликристаллических плёнок узкозонных полупроводников.

Объектами исследований явились поликристаллические слои халькогенидов свинца и висмута и их соединения полученных термовакуумной конденсацией в различных технологических условиях. Подложками служили кварц, полиимид (ПМ-1) и слюда. Толщина полученных плёнок составляла 0,3?4 мкм. Облучение плёнок производилось g-квантами Со

 и промышленным лазером ГИГ-1М (D=15Дж, t

=50 нс) на воздухе и в вакууме.

Проведены измерения электропроводности, коэффицента Холла и термоэдс.

Проведенные электронно-микроскопические исследования показали, что с ростом температуры конденсации размер кристаллитов увеличивается. При воздействии лазерных импульсов плёнок Pb

Sn

Te конденсированных при температуре Т

=373 К обнаружено, что при энергиях облучения W> 0.15Дж/см

 наблюдается нарушение адгезии конденсата с подложкой. В этой связи энергии облучения были меньше указанной величины.

Надо отметить, что эти энергии также меньше энергии расчетного значения поговой энергии плавления плёнок при лазерной обработке в наносекундном диапазоне, которая составляет 02Дж/см

 [1].

В данной работе приведены исследования влияния лазерного отжига (ЛО) на кинетические свойства поликристаллических пленок Рb

Sn

Te, полученных на полиимидной и слюдяной подложках термовакуумной технологией при различных температурах конденсации [2].

Облучение проводили в режиме модулированной добротности промышленным лазером с рубиновым излучателем (l= 0,69 мкм, t

=50 нс). Плотность энергии в лазерном импульсе регулировали путем фокусировки светового пучка. Измерялись кинетические коэффициенты пленок от числа воздействия лазерного импульса. Одновременно изучались структура исходных и облученных пленок с помощью растровой электронной микроскопии.