Электроника асослари. Ўқув қўлланма

Беркитувчи ?атламнинг кенгайишига харакатсиз донор ва акцептор ионлари ?аршилик кyрсатади. Улар кристаллар чегарасида контакт потенциаллар фар?ини – потенциал тyси?ни вужудга келтиради. Хосил бyлган электр майдон (Е

) куч чизи?ларини йyналиши «n» – сохадан «р» соха томон бyлади ва у электрон ?амда тешикларни харакатланишига тyс?инлик ?илади, яъни ?аршилик кyрсатади. Бу майдон таъсирида «n-р» yтишнинг ?аршилиги ортади. (2.6-в-расмда) «n – р» yтишли ярим yтказгич ?атламларига мос келувчи электростатик потенциал (j

) нинг та?симланиши кyрсатилган.

Агар ана шундай ярим yтказгичга таш?и манба (G

) дан «р» – тур кристаллга «мусбат» ва р-тур кристаллга «манфий» кучланиш берилса (2.7а-расм) беркитувчи ?атлам янада кенгаяди, чунки контакт зоналардан хам мусбат («р» – зона ичига), хам манфий («n» – зона ичига) ташувчиларнинг (электрон ва тешиклар) «сyрилиши» юз беради. Демак, таш?и манба ?утблари 2.7а – расмда кyрсатилгандек бyлса, «n – р» yтишнинг ?аршилиги ортиб кетади ва ундан о?иб yтаётган ток ми?дори оз бyлади.

Манбанинг бундай уланиши тескари улаш дейилади.

2.6 – расм. n – р – yтишнинг хосил бyлиши: а – кристалларнинг бир – бирига тегишигача бyлган таркиби б – беркитувчи ?атламларнинг ?осил бyлиши, в – ярим yтказгич чегарасидаги контакт потенциаллар фар?и.

Агар таш?и манбани ярим yтказгичга, ю?орида кyрсатилганга нисбатан, тескари ?утбли ?илиб уланса (манфий ?утб «n» – турли кристаллга ва мусбат ?утб «р» – турли кристаллга), таш?и электр майдоннинг (Е

) куч чизи?лари йyналиши беркитувчи ?атлам электр майдони (Е

) куч чизи?ларига ?арама – ?арши йyналишда бyлиб ?олади (2.

7. б-расм). Бунда «n-р» – yтиш электр майдонининг тормозлаш таъсири маoлум даражада компенсацияланади ва ундан анча катта тy?ри ток о?иб yтади, чунки беркитувчи ?атлам тораяди. Токнинг бундай йyналиши тy?ри улаш дейилади (2.7.в, г-расм). Яхши ярим- yтказгичлардаги ?аршилик тy?ри ва тескари уланишларда камида yн мартаyзгаради. "р – n" yтишнинг вентиль (бир томонлама yтказиш) хусусиятидан ярим yтказгичли асбоблар диод, транзистор, тиристорлар ва х. з. лар ясашда кенг фойдаланилади.

2.7 – расм. Яримyтказгичлардаги тy?ри ва тескари йyналишларнинг хосил бyлиши: а – тескари йyналиш, б – потенциаллар фар?ининг n-р-зона кенгайгандаги yзгариш таксимоти в – тy?ри йyналиш, г – контакт потенциаллар фар?ининг n-р зона торайгандаги yзгариш таксимоти.

2.3. ЯРИМ ЎТКАЗГИЧЛИ ДИОДЛАР УМУМИЙ ТУШУНЧАЛАР

Классификацияси ва белгиланиш системалари.