Машинное обучение на практике – от модели PyTorch до Kubeflow в облаке для BigData

В 1960 годах начала развиваться планарная технология для создания монолитных интегральных схем, заключающаяся в том, что не создаются отдельные транзисторы, которые необходимо помещать на печатную плату, а выращиваются прямо "плате" из полупроводника, являющаяся основой всех этих транзисторов. Технология изготовление таких интегральных схем унаследовало литографию, применяющуюся в производстве дороже у печатных плат, только в данном случае формируются не только токопроводящие дрожки, но и полупроводниковые и изолирующие участки (транзисторы).

Принцип сводится в равномерном нанесении требуемого покрытия и удаление его с ненужных мест различными методами. Нанесение проводящего слоя осуществляется осаждением, а на полупроводниковой подложке – выращиванием. Для удаления применяют растворители (щёлочи, кислоты), от действие которых в нужных местах защищает предварительно наносимое защитное покрытие, которое можно удалить в последствии специальными растворителями защитных покрытий. Расположение защитного покрытия и определяет расположение требуемого покрытия. Механически наносить покрытие на нужные участки чипа, как это делается на печатных платах, уже не позволяла точность нанесения и количество брака, поэтому тотально применяется фотолитография. Первый опытный образец, произведённой по этой технологии был продемонстрирован в 1959 году. Фотолитография заключается в том, что защитное покрытие наносится равномерно, в нужных местах утверждаются светом, а после промывки незатвердевшие покрытие смывается. Для проекции света его пропускают через маску (трафарет) и фокусируют линзами до нужного масштаба и силы светового потока. Маска в нужных местах пропускает свет, а линзы объектива фокусирую свет более мелкий масштаб. Таким образом точность рисунка защитного покрытия определяется точностью засвечиванием светом ещё незатвердевшего защитного покрытия. В начале века это был обычный свет, но позже длина волны не позволяла достичь необходимой точности и она смещалась в торону более коротковолнового излучения, делая стремясь к более узкому излучению, и соответственно, более точному. Так в 1971 году применялся красный свет 700 нм, в 1975 фиолетовый в 400 нм, ультраиолет с 436 нм от лампы с плазмой из ртути, с 1970 ультрафиолет в 248 нм с помощью плазмы криптона и фтора, далее применяется глубокий ультрафиолетовый (Deep Ultra Violet, DUV) с помощью фторидаргнового лазера в 193 нм, затем 150 нм и 80 нм.