Электронные и оптоэлектронные ИС, их характеристики: обзор преимуществ и недостатков. Цифровая микрооптоэлектроника

Перечень сокращений

АЧХ – амплитудно- частотная характеристика

Б – база

БМ – библиотека моделей

ВАХ – вольтамперная характеристика

ВОК – волоконно-оптический канал

ВОЛС – волоконные оптические линии связи

ВОП – волоконно-оптическая пластина

ВОСС – волоконные оптические системы связи

ВП – виртуальные параметры

ВУ – вычислительное устройство

ВЧ – высокие частоты, высокочастотный (О-очень, У-ультра, С-сверх)

ГИ – генератор импульсов (КГИ – кольцевой ГИ)

ДП – двухполюсник

ЗЗ, ЗП, ЗВ – зоны: запрещенная, проводимости, валентная

ИД – исходные данные

ИК – инфракрасный

ИКМ – импульснокодовая модуляция

ИЛ – инжекционный лазер

ИП – источник питания (Д – дополнительный, О – основной)

ИС – интегральная схема

ИСОС – интегральная схема с оптическими связями

ИФУ – интегральное фотоприемное устройство

К – коллектор

КПД – коэффициент полезного действия

ЛД – лазерный диод

МАЭС – моделирование аналоговых электронных схем

ММП – математическая модель прибора

МОП – металл-окисел-полупроводник

МПК – метод перевернутого кристалла

НЗ – носители заряда

ОИ – оптоэлектронный инвертор

ОЛЭ – оптоэлектронный логический элемент

ОЛУ – оптоэлектронное логическое устройство

ОПЗ – область пространственного заряда

ОСГ – объемная скорость генерации

ОЭ – общий эмиттер

ОЭП – оптоэлектронный прибор

ПВИ – поверхностный вывод излучения

ППС – полупроводниковая структура

ПР – профиль распределения

ПС – программная среда

СД – светоизлучающий диод

УУ – устройство управления

УФ – усилитель фототока

ФД – фотодиод

ФП – фотоприемник

ФР – фоторезистор

ФТ – фототиристор

ФТр.

ЦС – цифровой сигнал

ЧМ – численное моделирование

Э – эмиттер

DWDM – dense wavelength division multiplexing (мультиплексирование по длине волны высокой плотности)

МВМЕ (MOVPE) – molecular beams metod epitaxy (metalorganic vapor phase epitaxy) молекулярно-лучевой метод эпитаксии (металлорганическая парофазная эпитаксия)

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕЛЕНИЕ – 7.

РАЗДЕЛ 1. ОБЗОР ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

1.1. Характер физических и конструктивно-технологических ограничений микро- и наноэлектроники в цифровых интегральных схемах – 15.

1.2. Преимущества оптоэлектронных приборов в системах передачи информации и управления объектами над проводными линиями – 23.

1.3. Твердотельные оптопары, их разновидности, анализ конструкций – 29.

1.4.