На нашем сайте вы можете читать онлайн «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии». Эта электронная книга доступна бесплатно и представляет собой целую полную версию без сокращений. Кроме того, доступна возможность слушать аудиокнигу, скачать её через торрент в формате fb2 или ознакомиться с кратким содержанием. Жанр книги — Знания и навыки, Учебная и научная литература, Учебники и пособия для вузов. Кроме того, ниже доступно описание произведения, предисловие и отзывы читателей. Регулярные обновления библиотеки и улучшения функционала делают наше сообщество идеальным местом для любителей книг.
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии

Автор
Дата выхода
30 января 2019
Краткое содержание книги Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии, аннотация автора и описание
Прежде чем читать книгу целиком, ознакомьтесь с предисловием, аннотацией, описанием или кратким содержанием к произведению Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии. Предисловие указано в том виде, в котором его написал автор (Игорь Житяев) в своем труде. Если нужная информация отсутствует, оставьте комментарий, и мы постараемся найти её для вас. Обратите внимание: Читатели могут делиться своими отзывами и обсуждениями, что поможет вам глубже понять книгу. Не забудьте и вы оставить свое впечатие о книге в комментариях внизу страницы.
Описание книги
В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок.
Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии».
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии читать онлайн полную книгу - весь текст целиком бесплатно
Перед вами текст книги, разбитый на страницы для удобства чтения. Благодаря системе сохранения последней прочитанной страницы, вы можете бесплатно читать онлайн книгу Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии без необходимости искать место, на котором остановились. А еще, у нас можно настроить шрифт и фон для комфортного чтения. Наслаждайтесь любимыми книгами в любое время и в любом месте.
Текст книги
Первое слагаемое в правой части определяется коэффициентом отражения R
, второе и третье – коэффициентом поглощения и толщиной пластины.
Проникновение излучения в глубину твёрдого тела описывается законом Бугера – Ламберта
где ? – коэффициент поглощения, x – координата по глубине. Тогда часть излучения, поглощенная пластиной толщиной d
, без учёта внутренних отражений будет равна
а выражение для плотности потока, прошедшего сквозь пластину, имеет вид
Уменьшение интенсивности фотонного излучения, проходящего через твёрдое тело, происходит за счёт взаимодействия с поглощающими центрами.
В силу зависимости последнего от многих факторов (таких, как тип материала, концентрация легирующих примесей, дефектность структуры, температура, а также длина волны излучения) для адекватного моделирования рассматриваемых процессов необходим детальный анализ механизмов поглощения.
Полный коэффициент поглощения ? равен сумме коэффициентов поглощения различными центрами:
В полупроводниках различают пять основных типов оптического поглощения:
– собственное;
– поглощение на свободных носителях;
– поглощение на локализованных состояниях;
– экситонное;
– решеточное [11, 12].
Световая волна, попадая в проводящую среду, воздействует на подвижные носители заряда. Электроны, ускоряясь, увеличивают свою энергию за счёт энергии волны.
где е – заряд электрона; n, ?, m
– концентрация, подвижность и эффективная масса носителей заряда соответственно; с – скорость света в вакууме; ?
– диэлектрическая постоянная;
– показатель преломления; ? – длина волны.
Если энергия фотонов больше ширины запрещённой зоны, то имеет место собственное поглощение, при котором электрон из валентной зоны может переходить в зону проводимости.
где h? – энергия фотона; E
– ширина запрещенной зоны; E
– энергия фонона; А – константа [11, 13].





