На нашем сайте вы можете читать онлайн «Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии». Эта электронная книга доступна бесплатно и представляет собой целую полную версию без сокращений. Кроме того, доступна возможность слушать аудиокнигу, скачать её через торрент в формате fb2 или ознакомиться с кратким содержанием. Жанр книги — Знания и навыки, Учебная и научная литература, Учебники и пособия для вузов. Кроме того, ниже доступно описание произведения, предисловие и отзывы читателей. Регулярные обновления библиотеки и улучшения функционала делают наше сообщество идеальным местом для любителей книг.
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии

Автор
Дата выхода
30 января 2019
Краткое содержание книги Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии, аннотация автора и описание
Прежде чем читать книгу целиком, ознакомьтесь с предисловием, аннотацией, описанием или кратким содержанием к произведению Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии. Предисловие указано в том виде, в котором его написал автор (Игорь Житяев) в своем труде. Если нужная информация отсутствует, оставьте комментарий, и мы постараемся найти её для вас. Обратите внимание: Читатели могут делиться своими отзывами и обсуждениями, что поможет вам глубже понять книгу. Не забудьте и вы оставить свое впечатие о книге в комментариях внизу страницы.
Описание книги
В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок.
Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии».
Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии читать онлайн полную книгу - весь текст целиком бесплатно
Перед вами текст книги, разбитый на страницы для удобства чтения. Благодаря системе сохранения последней прочитанной страницы, вы можете бесплатно читать онлайн книгу Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии без необходимости искать место, на котором остановились. А еще, у нас можно настроить шрифт и фон для комфортного чтения. Наслаждайтесь любимыми книгами в любое время и в любом месте.
Текст книги
Распределение интенсивности лазерного излучения по пятну эллиптической формы
Введём характеристический радиус r
и параметр эксцентриситета ?
Уравнение теплопроводности может быть записано как
где первый член описывает изменение температуры Т во времени t, второй член описывает пространственное распределение Т, а третий является функцией теплового источника. Параметр К(Т) представляет собой коэффициент теплопроводности, зависящий от температуры, его размерность Вт/см·К.
Используя преобразование Кирхгофа
можно записать уравнение теплопроводности:
Для расчёта температуры в подложке при сканировании лазерного луча удобно использовать подвижные координаты: x’=x+?t. Однако далее будем использовать для удобства переменную х вместо х’, подразумевая её подвижной. В этом случае уравнение теплопроводности преобразуется к виду
Считая, что лазерное излучение полностью поглощается в тонком приповерхностном слое, функция источника имеет вид
Множитель 2 показывает, что рассматривается полубесконечное пространство.
Координаты в этом выражении нормируются на характеристический радиус:
Зависимость T(?) находится из преобразования Кирхгофа. Полученное соотношение является нелинейным, поэтому расчёт ? должен быть проведён итерационным методом. Однако при ? = 0 нелинейность исчезает, и температуру можно найти непосредственно прямым методом.
где
Профили ? вдоль осей X, Y и Z, полученные по выражению (31) для подвижного луча, показаны на рис. 4 для ? = 1. Расчёты показывают, что для луча диаметром 40 мкм распределение температуры до глубины 1 мкм, внутри которой формируются элементы ИС, практически однородно.
Рис. 4. Распределение относительной температуры вдоль нормированных координат при лазерном нагреве: 1 – Х, Y; 2 – Z
Это позволяет получить аналитическую зависимость
где Т
– температура подложки до лазерного облучения.





