Интегральная Фотоника

Устройство состоит из кристалла или волновода, где акустическая волна создает периодическую модуляцию показателя преломления, что изменяет характер распределения светодневной замедленной группы и, следовательно, управляет пропусканием светового сигнала.

• Фотонный транзистор на основе плазмона: Это новое направление в оптических транзисторах, которое использует возбуждение поверхностных плазмон-поляритонов для контроля прохождения света через металлические структуры. Использование эффекта плазмона позволяет достичь высокой скорости работы и низкого энергопотребления.

• Оптический транзистор на основе квантовых точек: Квантовые точки – это наноструктуры полупроводниковых материалов с размерами порядка нескольких нанометров. В таких устройствах изменение интенсивности или длины волны светодневного потока может быть регулируемо с помощью избирательного перекрытия квантовых состояний или изменения энергии перехода между состояниями.

Это лишь несколько примеров различных типов оптических транзисторов, которые используются для контроля и модуляции прохождения света через оптические каналы.

Фотонный транзистор

устройство в фотонике, которое используется для контроля пропускания света через материал на основе эффекта фотопроводимости. Он состоит из полупроводникового материала с двумя p-n переходами.

Основными компонентами фотонного транзистора являются:

Активная область: Это область полупроводника между двумя p-n переходами, где происходит поглощение света и создание пары электрона-дырки под действием фотона.

Предельные контакты: Фотонный транзистор имеет контакты к активной области, которые позволяют подключить его к внешней цепи источника питания или другому устройству.

Базовый слой: Это слой полупроводника между активной областью и предельными контактами, который регулирует поток носителей заряда посредством изменения проводимости материала при определенных условиях.

Работа фотонного транзистора основана на эффекте фотопроводимости. Когда свет падает на активную область, энергия фотонов возбуждает электроны из валентной зоны в зону проводимости, создавая пары электрон-дырка. При этом увеличивается проводимость материала и происходит пропускание света через транзистор.