Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал

Сульфоиодид сурьмы (SbSI) принадлежит к классу халькогенидов металлов пятой группы A

B

C

, где A-Sb; Bi; B-S, Se, Te; C-CL, Br, I. Кристаллы SbSI и SbSI

Br

– двуосные, обладают большим двойным преломлением, ниже температуры. Кюри Т

=22

С кристаллы SbSI принадлежат к классу mm2 и обладают ромбической симметрией. При фазовом превращении происходит исчезновение центра симметрии, следовательно, ниже точки перехода кристаллы SbSI становятся сегнетоэлектриками.

Фазовый переход при 22

С был зарегистрирован впервые Фатуццо [5] при изменении температурной зависимости диэлектрической проницаемости. Кристаллы обладают ярко выраженными полупроводниковыми свойствами, их фотоэлектрические свойства хорошо изучены [1].

Измерения проводились для монокристаллов SbSI в сегнетоэлектрической фазе при температуре Т=133 К. Кристалл освещался плоско поляризованным светом с помощью ксеноновой лампы и монохроматора ЗМР.

Измерялся стационарный фотовольтаический ток J по ранее описанному [1] методу. В соответствии с симметрией SbSI (точечная группа mm

) при измерении J

(z – направление спонтанной поляризации) и освещении кристалла в x и y направлениях ПОФТ не возникает. Выражение для фотовольтаического тока J

при освещении в x и y направлениях, соответственно, имеет вид:

где I—интенсивность света, ?—угол между плоскостью поляризация света и осью z.

На рис.1 кривая 1 представляет экспериментальную угловую зависимость J

 (?) для ?=600 нм при освещении вдоль [100]. Из сравнения экспериментальных угловых зависимостей J

 (?) с (4) и (5) были оценены численные значения ?

 или фотовольтаические коэффициенты

С учетом плеохроизма и анизотропии отражения света в SbSI [6] были получены следующие значения:

К

4?10

; К

3?10

; K

 (2—3) ?10

А?см? (Вт)

.

Таким образом, в SbSI фотовольтаические коэффициенты K

, K

, K

 более чем на порядок превышают соответствующие коэффициенты в LiNbO

: Fe.

Рис.1. Зависимость фотовольтаического тока J

 (1) при l = 600 нм и J

 (2) при l = 460 от ориентации плоскости поляризации света в SbSI.

Согласно (2), для SbSI компоненты фотовольтаического тока и являются пространственно-осциллирующими.