Все науки. №6, 2022. Международный научный журнал

Однако при освещении кристалла в области сильного поглощения в направлении осей x или y и при выполнении условия (3) вдоль поверхностей (100) и (010), соответственно, текут токи.

где ? – угол между плоскостью поляризации света и осью z. Согласно [1,7] для SbSI условие сильного поглощения (3), должно выполняться уже при ?470 нм.

Для наблюдения ПОФТ в условиях сильного поглощения на грань цинакоида (010) напылялись серебряные электроды в форме полос, параллельных оси спонтанной поляризации z. С помощью этих электродов при освещении кристалла в направлении [010] поляризованным светом с ?=460 нм измерялся ток J

 кривая 2 и длинноволновой области (?=600нм, кривая 1) измерялся ток J

.

Угловая зависимость измеряемого тока удовлетворяет (5), в том время как ток J

 в этой области вообще не может наблюдаться из-за нарушения условия (3) и пространственной осцилляции. На рис. 2 представлены спектральные J

 (кривая 1), J

 (кривая 2), отнесённые к единице падающий энергии, а также спектральная зависимость

построенная с учётом дисперсии n

, n

 и коэффициента поглощения ?

 в [010] направления.

Угловую зависимость J

 (?) в форме кривой 2, которая хорошо согласуется с (7) при К

= (2—4) ·10

А·см· (Вт)

(?=460нм).

Рис.

2. Спектральная зависимость J

 (1), J

 (2) и L=l

?

 (3).

В то время, как измерявшаяся ранее в спектральная зависимость J

является монотонной, спектральная зависимость J

 обнаруживает резкий максимум вблизи L1. Таким образом, спад J

 в длинноволновой области, где L <<1, обуcловлен ПОФТ. Интересен спад J

 в коротко волновой области, где L> 1.Так как АФ эффект не связан с временем жизни неравновесных носителей, то, возможно, это коротковолновой спад J

 обусловлен уменьшением K

 и, следовательно, подвижности в направлении [100].

2. ПРОСТРАНСТВЕННО ОСЦИЛИРУЮЩИЙ ФОТОВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ТОК В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКЕ ?-HgS

В работе рассмотрен фотовольтаические эффекты в оптически активных кристаллах ?-HgS. Обсуждены некоторые экспериментальные и физические основы фотовольтаического эффекта в активных кристаллах.

Сернистая ртуть HgS существует в двух модификациях: черная модификация – метациннабарит (?-HgS) -кристаллизуется в кубической системе (точечная группа 3m), красная модификация—циннабарит или киноварь (?-HqS) – кристаллизуется в тригональной системе (точечная группа 32).