На нашем сайте вы можете читать онлайн «Применение квантового туннельного эффекта код». Эта электронная книга доступна бесплатно и представляет собой целую полную версию без сокращений. Кроме того, доступна возможность слушать аудиокнигу, скачать её через торрент в формате fb2 или ознакомиться с кратким содержанием. Жанр книги — Легкое чтение, Фантастика, Научная фантастика. Кроме того, ниже доступно описание произведения, предисловие и отзывы читателей. Регулярные обновления библиотеки и улучшения функционала делают наше сообщество идеальным местом для любителей книг.
Применение квантового туннельного эффекта код

Автор
Дата выхода
25 мая 2022
Краткое содержание книги Применение квантового туннельного эффекта код, аннотация автора и описание
Прежде чем читать книгу целиком, ознакомьтесь с предисловием, аннотацией, описанием или кратким содержанием к произведению Применение квантового туннельного эффекта код. Предисловие указано в том виде, в котором его написал автор (Илья Зайцев) в своем труде. Если нужная информация отсутствует, оставьте комментарий, и мы постараемся найти её для вас. Обратите внимание: Читатели могут делиться своими отзывами и обсуждениями, что поможет вам глубже понять книгу. Не забудьте и вы оставить свое впечатие о книге в комментариях внизу страницы.
В научно-фантастической книге «Применение квантового туннельного эффекта код» рассматривается энергетическое устройство исследовательского аппарата на основе квантового эффекта в полупроводниках, применение в устройстве физико-химического процесса туннельного каталитического лизиса, свойства квантового уровня материальных объектов туннельного эффекта.
Применение квантового туннельного эффекта код читать онлайн полную книгу - весь текст целиком бесплатно
Перед вами текст книги, разбитый на страницы для удобства чтения. Благодаря системе сохранения последней прочитанной страницы, вы можете бесплатно читать онлайн книгу Применение квантового туннельного эффекта код без необходимости искать место, на котором остановились. А еще, у нас можно настроить шрифт и фон для комфортного чтения. Наслаждайтесь любимыми книгами в любое время и в любом месте.
Текст книги
Два СП переложены диэлектриком, частота тока в СП соответствует ЯМР протона, к СП приложена разность потенциалов, через диэлектрик производим прокачку водорода, далее есть захват электрона водорода туннелирующей частицей и низкотратная ионизация водорода в протон.
Применяя в схеме формулу, лед-диэлектрик +2 СП = низкотратное разложение воды при низких температурах. Схема эффективна в космическом пространстве, учитывая низкую температуру вакуума.
Глава девятая
Математический аппарат энергетического устройства
1.
Для эффективного осуществления процесса управления толщиной пленки жидкости нам необходимо определить связь между толщиной пленки, количеством воды, выходящей через подающий жидкость на экран-эмиттер штуцер, и скоростью вращения экрана геометрической формы.
1) Формула расчета расхода жидкости через штуцер следующая:
G = q * g * ?*d0? / 4*?* ?2g*h+W1? * R1?
либо
G = q * g * ? * d0? / 4 * ? * W1 * ?R1? – R2?,
где ? = 3,14.
Далее,
G – массовый расход жидкости через отверстие,
q – плотность жидкости,
d0 – диаметр отверстия истечения,
h – напор,
W1 – угловая скорость вращения оболочки,
? – коэффициент расхода,
R1 – внутренний радиус тонкостенной оболочки,
Rп – внутренний радиус свободной поверхности жидкости.
2) Уравнения «статики» жидкости в сосуде определенной формы
Согласно физической теории относительности поле, создаваемое вращением физического тела, и гравитационное поле, создаваемое статической массой, эквиваленты. Рассмотрим экран-эмиттер, сосуд с жидкостью относительно процесса образования первого поля, то есть предположим, что на жидкость действует потенциал поля, равномерно распределенный по поверхности сосуда, и исходя из этого жидкость принимает форму экрана и сосуд жидкость держит, то есть вода не выливается.
Затем найдем зависимость высоты слоя, равной в разных точках измерения данного параметра, так как потенциал, эквивалентный гравитационному полю, в данных точках один, то есть найдем зависимость высоты контактного слоя от объема поступившей жидкости.
2.





