Применение квантового туннельного эффекта код

1) Формула высоты контактного слоя жидкости,

решение исходя из уравнения

P = U? * qж / 2 * (R-r),

где

Р – давление жидкости на стенку вращаемого сферического сосуда либо сектора сферы,

U – угловая скорость вращения сосуда, экрана-эмиттера,

R – радиус пограничной поверхности,

r – радиус сферы, то есть внутренней поверхности сферического сосуда, либо максимальный внутренний радиус вращаемого сосуда – шарового (примем, что экран-эмиттер – полусфера) слоя

то искомое уравнение следующее:

2.

2) Н = 2P / U? * qж

либо

H = 2P / 2 * ? / 60 / n*qж,

где

Н – искомая высота контактного слоя жидкости,

qж – плотность жидкости,

n – число оборотов в минуту вала движителя устройства.

2.3) Уравнение «статического» объема жидкости, находящегося в сосуде сферической формы либо открытого сосуда-шарового слоя

Допустим, у сосуда-шарового слоя есть цилиндрическая отбортовка высотой выше, чем возможная высота слоя налитой в него жидкости, то есть жидкость не заполняет шаровой слой полностью, как в варианте распределения жидкости гравитационным полем стационарного объекта.

Мы рассчитываем объем исходя из того, что жидкость принимает форму сосуда под воздействием поля, эквивалентного гравитационному, по формуле:

V = S * H – объем контактной жидкости,

где

S = 2? * Rп * Hп – площадь шарового пояса,

H – высота контактного слоя жидкости,

Rп – радиус сферы, вписывающийся в сегментную поверхность,

Нп – высота шарового пояса.

Примем вариант, что количество поступившей на поверхность экрана-эмиттера жидкости не более, чем необходимо для процесса пленкообразования, и нет протечки, поэтому жидкость поступает в сосуд полностью, то есть принимаем, что

G = V

G = 2? * Rп * Hп * H

либо

2.4) G = 2? * Rп * Hп * 2P / 2 * ? / 60 / n * qж – уравнение управления системой.

Соответственно, тогда управляющие параметры, необходимые для управления толщиной жидкости:

n – число оборотов вала привода движителя,

h – напор жидкости.

Далее нам необходимо вычислить количество лучистой энергии, необходимой для проведения процесса разложения пленки жидкости заданной толщины на водород и кислород. Математическая модель взаимодействия антенны излучения электромагнитного поля с экраном-эмиттером электронной плазмы туннельным, выполняющего функцию антенны приема электромагнитного СВЧ поля, следующая:

2.